高音質

パワーアンプの出力段にUHC-MOS FETを採用。定常電流は30 A、瞬間電流では120 Aとなります。電圧増幅段についても初段をデュアルFET選別品として温度変動による動作安定度を高めるほか、カスコードブートストラップ回路によって高域まで位相特性の安定化を図っています。

Advanced UHC-MOS Single Push–pull Circuitの実力を最大限に引き出すために、LCマウントツイントランス、大きな電流容量を持つショットキーバリアダイオードと音質を練り上げたカスタムブロックタイプコンデンサーで構成された強力な電源を搭載しています。

外部振動の影響を排除するとともに、内部の振動源であるトランスの振動を増幅回路に伝えないために信号レベルごとにシールドされた6ブロック分割シャーシと高密度素材によるフットによって、メカニカルグラウンド思想を追及しています。